• GaN FET

    1Q: 晶发GaN 驱动IC可应用为何?
    A: 应用于高侧、低侧、半桥或全桥配置之氮化镓FET闸级驱动

    2Q: 晶发GaN 驱动IC的最大应用电压范围为何?
    A: 可应用于80Vdc以下

    3Q: 晶发GaN 驱动IC可应用驱动速度为何?
    A: 数Mhz

    4Q: 晶发GaN 驱动IC的输入到输出讯号延迟时间?
    A: 30ns (Typica)

    5Q: 晶发GaN 驱动IC的闸级驱动输出讯号上升/下降时间?
    A: 7ns及4ns  (Typica)

    6Q: 晶发GaN 驱动IC可提供之封装为何?
    A: CSP、DFN及MCP

    CS8201 使用说明书